锗单晶生长炉KX100-Ge -大连连城数控机器股份有限公司

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锗单晶生长炉KX100-Ge

最优化的4-8英寸CZ法锗单晶生长方案

领先的全数字控制系统

先进的热场设计

国际上锗晶体生长公司的首选

Performance 性能

Typical Ingot Diameter 单晶直径

100-200 mm(4-8")

Pull Chamber Height 副室高度

1750 mm (69”)

Throat Diameter 喉口直径

305 mm (12”)

Furnace Diameter 炉室内径

865 mm

Seed Lift Rate 籽晶提升速率

0-508 mm/hr

Seed Jog Speed (Nominal) 籽晶快速提升速率（最大）

508 mm/min

Total Crucible Travel 坩锅最大行程

380 mm (15")

Crucible Lift Rate 坩锅提升速率

0-254 mm/hr

Crucible Jog Speed (Nominal) 坩锅快速提升速率（最大）

50.8 mm/min

Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋转速率（可逆）

0-50 rpm

Crucible Rotation (Reversible) 坩锅旋转速率（可逆）

0-20 rpm

Silicon Charge Capacity硅投料量

Hot zones are available to fit the following crucible sizes. 热场尺寸取决于坩锅直径

Crucible Diameter
坩锅直径

Crucible Height
坩锅高度

Charge Size
投料量

20.0 in

15.0 in

120 kg