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半导体级晶体生长炉CG6000

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  • 最优化的3-6英寸CZ单晶生长方案
  • 领先的全数字控制系统
  • 先进的热场设计
  • 30多年成功运行经验
  • 全球超过1000台安装量

  • 半导体级晶体生长炉CG6000
    Performance  性能
      Furnace Chamber Diameter 炉腔内径
      762 mm (30 in)
      Pull Chamber Doorway Height 副室高度
      2108 mm (83 in)
      Throat Diameter 喉口直径
      0-508 mm/hr
      Seed Jog Speed (Nominal) 籽晶快速提升速率(最大)
      508 mm/min
      Total Crucible Travel 坩锅最大行程
      292 mm (11.5 in )
      Crucible Lift Rate 坩锅提升速率
      0-254 mm/hr
      Crucible Jog Speed (Nominal) 坩锅快速提升速率(最大)
      50.8 mm/min
      Seed Rotation (Reversible) 晶转速率(可逆)
      0-50 rpm
      Crucible Rotation (Reversible) 锅转速率(可逆)
      0-20 rpm

    Silicon Charge Capacity硅投料量
      *Hot Zones available to fit following crucible sizes 热场尺寸取决于坩锅直径
      **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料系统可提高装料量
      Crucible Diameter*
      坩埚直径
      Crucible Height*
      坩埚高度
      Charge Size Cold Pack
      冷装投料量
      Enhanced Charge**
      复投装料量
      18.0 in
      13.5 in
      60 kg
      75 kg

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